[自主科技]
近年，第三代半導體開發的新材料器件，應用場景增加，投資漸趨活躍。本港發展微電子亦以第三代半導體為焦點。
半導體第一代材料是矽(Si)，主要針對邏輯運算；第二代砷化鎵(GaAs)，主要用於通信；第三代以氮化鎵 (GaN)與碳化矽(SiC)材料為代表性，可用功率半導體、光電、射頻以至軍事用途。 Continue reading “自主科技| GaN外延潛力無限 港微電子趕上快車”
自主科技| GaN外延潛力無限 港微電子趕上快車
第三代半導體氮化鎵
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科技園公司與麻省光子技術今日舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵(GaN)外延片中試線啟動禮」，香港科技園公司署理首席企業發展總監及創科生態業務發展總監柯志成（前左）、麻省光子技術首席營銷官趙春雷（前右）簽署合作，創新科技及工業局局長孫東（後右三）及副局長張曼莉 （後左二）與麻省光子行政總裁廖翊韜（後右二）等人出席。
