麻省光子技術宣佈在創新園首條超高真空量產型氮化鎵(GaN)外延片中試線

[自主科技]

近年，第三代半導體開發的新材料器件，應用場景增加，投資漸趨活躍。本港發展微電子亦以第三代半導體為焦點。

半導體第一代材料是矽(Si)，主要針對邏輯運算；第二代砷化鎵(GaAs)，主要用於通信；第三代以氮化鎵 (GaN)與碳化矽(SiC)材料為代表性，可用功率半導體、光電、射頻以至軍事用途。 Continue reading “自主科技| GaN外延潛力無限 港微電子趕上快車”