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以前，快閃記憶體多屬平面快閃記憶體 (Planar NAND)，近年迅速發展的3D NAND 快閃記憶體，存儲單元則是立體形式，儲存量更大，成本更低。
以高樓大廈為例，NAND平面快閃記憶體就有如平房，3D NAND就是有如高樓。存儲單元立體化後，每個存儲單元單位面積，可以大幅下降；由於技術改進，3D NAND可靠和耐用程度也大幅增高。
快閃記憶體第二個轉變，以往只是隨機讀寫快，如今可支援不同負載，尤其NAND型快閃讀寫文件（特別連續大文件）時速度更快，可適用順序讀取場景，甚至針對不同應用場景加以改良，符合不同用途。
第三是開始全面利用NVMe介面，全面發展快閃超低延遲性能，大量數據的即時分析，可更輕鬆完成，加快AI模型的數據訓練速度。
Western Digital推出了兩款全新96層3D快閃記憶體NVMe SSD系列產品，採用3D NAND技術，容量比上代大了約4倍，針對未來數據中心應用，兩款新快閃硬盤為Ultrastar DC SN640和Ultrastar DC SN340，分別適用於混合場景工作負載和密集讀取應用。
最新的Ultrastar硬碟系統針對數據中心不斷轉變的應用，加上愈來愈精細的工作負載，同時也為未來ZB規模數據中心作好準備。Western Digital內部的SSD控制器設計、韌體開發和垂直整合，企業環境下從終端到核心再到雲端，可有進一步的提升。
其實，NVMe對於數據應用層面，會有重大影響，特別即時分析能力、M2M和物聯網，以及例如組合式基礎架構等新興技術，皆會因NVMe而進入另一時代。
混合型場景負載
Western Digital Ultrastar DC SN640系列產品針對混合型工作負載應用，進行優化與提升，針對的應用包括：SQLServer、MySQL、虛擬桌面以及其他採用超融合基礎架構的業務關鍵型工作負載。例如VMware vSAN和 Microsoft Azure Stack HCI，順序線性的寫入性能，是上一代產品的2倍。
Western Digital Ultrastar DC SN640系列具有可調節的耐用性和多種安全選項的靈活性，為ZB規模的數據中心奠定了基礎，並利用NVMe多命名空間管理設計未來的架構。
密集讀取型應用
Western Digital Ultrastar DC SN340 Gen3 x4 PCIe SSD針對高效率存取和低散熱作出改善，能發揮高性能時，確保功率約只有6.5W，適用密集讀取的工作負載，例如熱儲存，以及其他需要寫入大型資料的應用。這包括內容交付網路（CDN）和影片緩存，此類應用中數據顯著得益于Gen3 x4的高頻寬和NVMe低讀取延遲的優勢，以大型順序塊寫入。Apache Cassandra和MongoDB等分散式NoSQL資料庫，也可以利用上述硬碟大型資料寫入特性，可支援高達7.68TB容量。
Western Digital產品市場部副總裁Eyal Bek表示：「各種專用NVMe儲存解決方案可提高儲存性能、效率、密度和TCO，現在已不再是『一刀切』做法的時代。Western Digital非常了解工作負載需求和趨勢正在不斷變化，Ultrastar NVMe SSD已經達到Western Digital已經證明是可靠的96L NAND節點水準，經過優化後的Ultrastar DC SN640和DC SN340 SSD可針對特定的工作負載和數據量需求，同時也為未來的ZB規模奠定了基礎。 」