Western Digital公佈嵌入式快閃記憶體在速度和容量，優化超高端智能手機及流動設備的功能，以高速渦輪循序寫入速度和高容量優化用戶5G時代新體驗。
Western Digital的iNAND MC EU511採用96層3D NAND技術，支持通用快閃記憶體儲存 (UFS) 3.0 Gear 4/2 Lane規範。第6代iNAND SmartSLC可實現高達750MB/s渦輪序列寫入速度，僅需3.6秒就可下載一部長達2小時的電影。
由於5G標準模式可為流動和邊緣裝置，帶來超快的傳輸速度、低延遲、低耗量和高網絡容量等優勢。但這些功能需要高速數據的接口，UFS 3. 0就是其中之一，不僅可以改變智能手機，還可改造數十億計互聯物聯網（IoT）設備。
Western Digital裝置事業部門高級總監Oded Sagee說：「智能手機逐漸成為萬物互聯的中心。高速5G網絡旨在實現快於之前100倍的數據傳輸速度並在更多的設備上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神經處理單元(NPU)所驅動，允許我們瀏覽大數據和快速數據，這將改變我們使用智能手機的方式。面對實時邊緣計算的高需求，嚴格的數據捕獲標準和瀏覽模式將成為5G設備必須滿足的基本條件。憑藉UFS 3.0嵌入式快閃記憶體，Western Digital可以讓用戶隨時隨地且無縫地體驗5G應用的新威力。」
嵌入式快閃記憶體
5G流動設備借助UFS 3.0快閃接口，為擴增實境(AR)、虛擬現實(VR)和手機遊戲等應用提供更高的性能和更低的延遲。此外，快速的網絡將使消費者能夠在流動設備上快速下載和查看超高解像度照片和4K/ 8K媒體資源。
iNAND MC EU511嵌入式快閃記憶體，循序讀寫性能比上一代產品快了兩倍，有高達750MB/s高速循序寫入性能。隨著隨機讀/寫性能的提高和容量從64GB到512GB的提升，iNAND MC EU511嵌入式快閃記憶體，已為即將到來的5G革命做好了準備。Western Digital正在與OEM合作，送樣測試iNAND MC EU511嵌入式快閃記憶體方案。