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上周tesla投資者大會宣佈，減少使用第三代半導體碳化矽（SiC）用量將減75%，導致多家晶片廠股價應聲下挫。
電動車的電池是直流電，電機卻用交流電。交流電電流方向可隨時間做週期性變化。直流電電機最大問題，則要通過換向器改變線圈電流，才可確保線圈持續轉動，交流電機結構簡單可靠，還能適應更高轉速，電動車幾乎全用交流電機。
利用交流電機，電動車要靠逆變器（Inverter）將直流電變回交流，SiC半導體元件正好提高逆變器效率；Tesla的Model 3是首部採用SiC元件的電動車，系統效率從82%提昇至90%。
Tesla工程總監Colin Campbell公佈減少SiC半導體用量，導致意法半導體、Wolfspeed、ON Semiconductor、英飛凌等股價一度下跌。專家指，Tesla減少用量全因為技術成熟，並非指SiC沒前途。事實上，取代SiC的氧化鎵（Ga2 O3），仍處於起步階段。
香港研究新半導體
創科及工業局長孫東發表《創新科技發展藍圖》，亦特別提及發展第三代半導體晶片；他指出香港跟新加坡和南韓等亞洲國家，均在同一出發點競爭。目前，SiC晶片仍是歐美廠商天下，亞洲正急起直追。
半導體根據材料發展，可按時序分為三代。不過不互相替代，各具特殊功能和應用，不過以第三代半導體增長最迅速，其他半導體市場甚至出現過剩。
第一代半導體是鍺（Ge）和矽（Si）。第二代則是砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等化合物，主要用於發光及通訊。第三代則包括碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）化合物甚至鑽石，具高「禁帶寬度」（Ev）性能應用在「功率半導體」﹙Power semiconductor﹚」和射頻元件等。
SiC可推動電動車
GaN已大量應用在充電器，幾乎成行成市；SiC則耐壓和耐熱性能好，可用於大功率器件。SiC可縮小元件體積又更節能，有助延長電動車續航，更是香港應科院（ ASTRI）的重點項目，包括了設計、工藝整合、晶圓製造和測試SiC半導體，去年公佈了可應用於電動車的SiC電源模塊。
本港有發展能源產品的工業，精確企業從事太陽能發電、能源儲能發電系統、汽車及休閒旅行車電子及電力系統，創辦人莊子雄熟悉功率半導體和新能源市場，他亦擔任工總常務副主席，一直推動第三代半導體發展。他指，本港發展第三代半導體有助下游產業競爭力。
「發展新電子產品往往須新一代晶片，香港沒晶圓製造，測試產品要外出到鄰近國家，推高成本，產品無法及早推出，失去市場先機。」半導體是電子產品利潤最高環節，第三代半導體製程沒有上一半精密，香港具備發展的條件，不可錯失良機。
第四代如箭在弦
中國亦發展第四代半導體技術，其中最突出是氧化鎵（Ga2 O3）研究，Ga2 O3基板製作相較於SiC與GaN更容易，又同樣具超寬禁帶特性，能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場，超高功率元件應用亦極具潛力。中國科技部已將Ga2 O3列入「十四五重點研發計畫」，相信本港微電子亦會展開Ga2 O3開發工作。
Ga2 O3在微電子與光電子都有應用前景，礙熔點高、易在高溫分解以及裂開，大尺寸Ga2 O3單晶製備極為困難。較早前，中國電科46所宣佈製備國內首顆6英寸氧化鎵單晶，內地亦開展Ga2 O3研究。去年底中國科技大學龍世兵團隊有兩篇Ga2 O3研究論文入選IEEE的IEDM大會，以往Ga2 O3只用於光電領域，2012年轉向發展功率半導體，製備過程較SiC更有成本優勢，亦可應用在電力調節和配電系統的高壓整流器、電動車和太陽能系統，長遠可望與SiC競爭。
據悉科技園公司位於元朗「微電子中心」（MEC），支持第三代半導體微電子產品的開發和試產，去年Ga2 O3研究已納入「十四五重點研發計畫」，亦有可能成為MEC吸納的科研項目。