自主科技
中國每年進口3000多億美元晶片，自給率只約二成，高端晶片全靠進口。中美角力，高端晶片無法進口和生產，中國無法製作尖端晶片，設計軟件和光刻技術，都是中國「軟肋」。
華為屬下的海思，不乏尖端晶片設計能力。設計後生產晶片的晶圓（Fab），全球收入最高為台積電（TSMC），掌握關鍵光刻技術（ Lithography）；光刻基本原理以光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光後，光化學反應形成耐蝕性特點，再掩模板上圖形，刻蝕加工表面上，形成了電路。
生產最尖端的晶片，迄今只有荷蘭ASML極紫外光EUV（Extreme UltraViolet）光刻機。美國向中國實施科技管制，中國無法進口EUV，只有另闢蹊徑。中芯國際（00981.HK）推出N+1工藝，仍不能取代EUV。制作7nm（納米）或以下晶片，唯一生產設備供應商，就只有ASML。
ASML取得領導地位，主要是台積電研發副總林本堅博士發明浸潤式蝕刻，一舉打破光波長限制，ASML與台積電合作，發展浸潤式蝕刻，短短數年壟斷市場，傳統的日本乾式光刻機廠，佳能和尼康等無法跟上，逐漸邊緣化。
即使中國取得ASML的EUV光刻機，也不一定能生產尖端晶片，關鍵要控制良率（Yield rate）。產品不良比率高，晶片無法量產；英特爾良率上無法突破，故此7nm晶片無法應市。
挑戰光刻工藝
尖端晶片另一關鍵，就是須掌握精準工藝，製作微米及納米等級金屬結構。台積電在光刻工藝獨步天下，技術之高超，克服成本、製程、高良率的門檻，壟斷尖端晶片製作。
中文大學研究團隊一項研究，長遠有望取代傳統光刻技術，製作尖端晶片，或者港建立小型的晶圓。雖然有關的工藝，短時期無法打破EUV光刻壟斷，但假以時日，有望成為挑戰光刻的工藝技術。
中大物理系助理教授楊森、德國斯圖加特大學物理系夏慷蔚博士率領的團隊，研發出「萬能墨水」，配合單步激光，直接寫入技術，只需簡單儀器，便可掌握精凖工藝，製作高性能晶片，大大減低成本。相關論文已發表在《自然通訊》期刊，中大已申請了專利技術。
基本物理變萬能墨水
迄今，只有基於光子才能達到高解析度和準確性，複雜性和苛刻製作條件，限制進一步的發展，甚至有人懷疑，光刻是否已到盡頭。目前最關鍵找到機制，首先可對材料進行原位沉積同時，並進行構圖。不過直接圖案化無機材料，尤其是蝕刻金屬仍然困難，中大團隊 卻似乎找到答案。
中大團隊從物理學原理，找出了嶄新方法；以高精度原位沉積（Materials in situ）圖案化材料技術，不同金屬鹽溶液，加入半導體納米顆粒溶膠，製成「萬能墨水」，運用光鑷技術和半導體光電子效應，透過激光引發化學還原反應，合成金屬納米顆粒。金屬納米顆粒像「膠水」一樣互相黏附，沉積晶片基底。改變激光聚焦點，便可選擇金屬納米顆粒沉積位置；墨水中金屬成分可隨意調整，以配合不同晶片。
研究團隊經篩選嘗試，發現中國傳統書法和水墨畫，鋼筆中所用碳素墨水，當中碳納米顆粒，具很好光還原性和微小尺寸，變成「萬能墨水」理想半導體納米顆粒。測試製作的顆粒結構，精確度達納米（Nanometre，nm）級，也就是納米級晶片的精度，力學性質適合製作柔性器材，導電及絕緣性能，媲美現時物料。
此項技術設備簡單，意味晶圓廠規模可縮小；碳素墨水製成「萬能墨水」成本低，可回收再用，減低環境污染。
發展晶片打印機
目前，香港科技大學有小型晶圓設備，科技園擬在元朗工業邨，建立小型的晶圓，技術對振興本港微電子業，有積極意義。
楊森說，原位沉積技術短期內，不取代EUV光刻，須要尋找適當的「墨水」，才能生產50nm以下晶片，追上EUV光刻。不過，此項技術毋須建昂貴無塵室，可用於建立小型晶圓，以供原型制作（Prototype）及特訂晶片，供醫療及其他使用，甚至設計完後作電路測試，未來可發展晶片打印機。
他說，沉積技術亦可用於矽的以外材料，本港有團隊研究2維材料；包括了石墨烯，成為新一代電子材料，以取代矽作為晶片，沉積技術發展前景甚佳。
楊森教授表示：「這項技術有兩大優勢。首先，可用多種材料製作複雜圖案，增加晶片應用範圍；第二，配合光學測量/量度儀器，監控金屬結構在沉積過程精確度和質量，促進未來晶片工業，尤其生產量子科技晶片。」
其他應用包括了修復電極、製作3D的電路等。技術通用性令材料選擇多元化，應用在更多工業領域，甚至精密醫療器材。
研究團隊的夏慷蔚博士、中大物理系本科生盧穎琪同學、四位研究生陳一帆、洪兆輝、陳暘和瀋陽，陳一帆和洪兆輝為共同第一作者；夏慷蔚博士曾任中大物理系研究助理教授，現任職德國斯圖加特大學物理系。