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新科技速遞| 理大研發二維鈣鈦礦 突破半導體材料極限

polyU
理大羅健平教授(左)、助理教授冷凱博士(右)、博士後研究員崔華燮博士(後)構建的有機二維層狀鈣鈦礦,具高介電常數,可以作為二維半導體柵介質的配選材料。

[新科技速遞]

近年,鈣鈦礦(Perovskite)可說最多人關注新材料,具有多種電和磁特質,可將太陽能轉為電能,亦能將電能轉為光能,用於太陽能電池、光電元件和可穿載式發電上。

2009 年,日本化學家宮坂力發現「鈣鈦礦」,有潛力取代矽晶製作太陽能電池,引起全球關注,迄今研究多集中在光伏發電。鈣鈦礦轉換效率,已經與矽晶太陽能電池看齊,製程又簡單得多,成本更低,中國已量產鈣鈦礦太陽能電池。

理工大學研究發現,鈣鈦礦有機會應用在二維電子上,設計合成納米級雜化及異質結構,再結合先進製程,有機會成新一代二維半導體材料。二維半導體是下一代半導體研發方向,以極薄膜厚度,打破晶片微縮化極限,延續摩爾定律。

PolyU
團隊特別研發了一種全新的通用類層狀有機鈣鈦礦,並將其命名為“Choi-Loh-v相”「CL-v」則取自崔博士(左)和羅教授(右)的姓氏。CL-v可應用於二維電子元件上。

港學者新材料攻關

「鈣鈦礦」是指鈣與鈦的氧化物CaTiO3(化學方程式為ABX3),有機金屬鹵化物的結構與鈣鈦礦ABX3 同類型,既不是鈣也不是鈦,而是具備相同晶體結構,統稱為鈣鈦礦。

鈣鈦礦材料缺點是壽命較短,穩定性差,高溫亦影響效率;鈣鈦礦是本港熱門研究領域,屢次擊破鈣鈦礦缺點,解決高溫穩定性和延長使用壽命。

最近,理大應用物理學系材料羅健平教授團隊,成功構建出全有機二維鈣鈦礦,除了作為溶液加工,可以塗佈薄膜製作,還可用於製作二維電子器件,大大拓展鈣鈦礦的應用潛力。

這項科研開闢二維全有機鈣鈦礦潛在應用,成果已刊登在《科學》期刊(Science)上。鈣鈦礦基本化學方程式為ABX3,特徵是可以透過改變A與B 陽離子及X陰離子作出調控,可以呈現出不同物理特性,作為高性能材料開拓新應用。

CL-v
CL-v全有機鈣鈦礦晶體結構描述(上圖) 及在二維電子的應用(下圖),以CL-v相作為頂柵介電層,可有效控制二維半導體之中源極端子和漏極端子之間的電流流動。

二維電子新材料

透過操縱晶體化學的成分,可精確設計不同特性,例如不同的介電特性,有望應用在半導體行業。傳統上,適合晶體結構有機分子選擇有限,難以合成全有機三維鈣鈦礦。羅健平團隊提出一種創新方法,以二維層,而不再是三維的晶體形態,以合成全有機鈣鈦礦,克服某些累贅分子限制,融入更多不同有機離子,發掘鈣鈦礦更多不同特性。

為證實這項預測,研究團隊研發了一種全新的通用類層狀有機鈣鈦礦,命名為「Choi-Loh-v相」-CL-v。這些鈣鈦礦由薄如粒子的層次組成,並以「範德華」力(van der Waals force)粘合成形。CL-v中的「v」代表van der Waals,「C」和「L」則取自論文第一作者理大研究員崔華燮博士和羅教授姓氏。

二維電子學應用

羅健平團隊以液相化學製備名為CMD-N-P2的CL-v材料,其中的A、B和X 的位點分別由CMD(一種氯化環狀有機粒子)、銨和PF6−離子佔據。透過低溫高解析度電子顯微鏡,確定了預期的晶體結構,而薄如粒子的二維有機鈣鈦礦,雖然與傳統三維礦物基本上相異,二維狀態下仍會結晶,還可剝落成只有幾納米厚的薄片,厚度只是頭髮還二萬分之一。

二維有機鈣鈦礦的溶液加工性,可應用製作二維電子學器件。團隊測量了CL-v鈣鈦礦的介電常數範圍為4.8至5.5,高於二氧化矽和六方氮化硼等常用材料。

柵介質理想材料

晶片進入3納米製程之後,電晶體不斷微縮後,開關速度和密度高、導致出現「短溝道效應」(Short-channel effects),性能下降而無以為繼,必須靠新材料和架構取代,二維電子元件正是候選的晶片架構,最難解決是開發出超薄又高介電常數的柵介質,並提高擊穿電壓和減少柵極的漏電。

這項發現可將CL-v相作為二維電子中介電層的柵介質材料。團隊成員之一冷凱博士整合二維有機鈣鈦礦與二維電子裝置,以CL-v相作頂柵介電層,通道材料由原子級薄的硫化鉬組成,證實可控制源極端子和漏極端子之間的電流流動。

此項研究建立全有機鈣鈦礦,由於可結合先進流程,並以溶液加工。長遠而言有機會推動二維半導體研究,取代矽鍺(SiGe)作材料,轉化為新一代半導體。

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